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【行业监测】三星宣布5/4/3nm工艺
发布时间:2018-06-26 17:41  来源:未知  作者:集成电路研究所

【事件描述】三星公司在三星晶圆论坛(SFF 2018 USA)上表示公司7nm LPP工艺将首次应用极紫外光刻技术,相关产品将在2018年下半年投产。另外,三星意外透露公司5nm、4nm、3nm工艺的发展规划,如果研发进展顺利,以上工艺将在2019年、2020年、2021年实现量产。

【赛迪观点】

三星公布公司未来晶圆制造工艺线路图暗示先进晶圆制造行业竞争加剧。伴随三星、台积电EUV技术的应用,两家公司正在快速抹平同英特尔之间的制造技术差距。先进工艺晶圆制造逐步从英特尔一家独大变为英特尔、三星、台积电三方竞争。而三星、台积电因为相互竞争晶圆代工市场,且两家均已导入EUV技术,两家公司通过先进技术争夺潜在客户的竞争将愈演愈烈。

新技术应用助推制造工艺延续摩尔定律发展。对于晶圆制造厂商,提升晶体管性能是制造工艺发展的重要途径。三星在3nm工艺中将使用全新的环绕栅极技术,通过重新设计晶体管底层结构的方法增强栅极控制、提升晶体管性能。对于光刻机厂商,ASML正试图通过使用高数值孔径的光学系统提升光刻机的分辨极限,从而推动EUV光刻机能够支撑3nm以上工艺的研发。

 
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